0~50V 0~5000A napajalnik iz polikristalnega silicija Prikazana slika

Napajalnik iz polikristalnega silicija 0~50V 0~5000A

Opis izdelka:

Tehnični podatki:

Vhodni parametri: 3 faze, AC480V±10%, 60HZ

Izhodni parametri: DC 0~50V 0~5000A

Izhodni način: skupni enosmerni izhod

Način hlajenja: zračno hlajenje/vodno hlajenje

Vrsta napajanja: na osnovi IGBT

Industrija uporabe: tlak v peči za redukcijo polikristalnega silicija in redukcija, rast kristalov

Velikost izdelka: 87*82,5*196 cm

Neto teža: 460 kg

Pošljite nam e-pošto

Specifikacija
Vrsta pipe	Pipe za kopalniški umivalnik,
Vrsta namestitve	Središče,
Namestitvene luknje	ena luknja,
Število ročajev	enojni ročaj,
Končaj	Ti-PVD,
Slog	država,
Hitrost pretoka	1,5 GPM (5,7 L/min) največ,
Vrsta ventila	keramični ventil,
Preklopnik za hladno in vroče	ja,
Dimenzije
Skupna višina	240 mm (9,5 "),
Višina izliva	155 mm (6,1 "),
Dolžina izliva	160 mm (6,3 "),
Središče za pipo	enojna luknja,
Material
Material ohišja pipe	medenina,
Material izliva pipe	medenina,
Material ročaja pipe	medenina,
Informacije o dodatkih
Ventil vključen	ja,
Odtok vključen	ne,
Uteži
Neto teža (kg)	0,99,
Teža pošiljanja (kg)	1.17,

funkcija

Vhodni parametri

AC vhod 480v±10% 3 faze
Izhodni parametri

DC 0~50V 0~5000A zvezno nastavljiv
Izhodna moč

250KW
Metoda hlajenja

prisilno zračno hlajenje / vodno hlajenje
Analogni PLC

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Vmesnik

RS485/RS232
Nadzorni način

zasnova daljinskega upravljalnika
Zaslon

digitalni zaslon
Več zaščit

pomanjkanje faze pregrevanje prenapetost previsok tok kratek stik
Nadzorni način

PLC/mikrokrmilnik

Model in podatki

Številka modela	Izhodno valovanje	Trenutna natančnost prikaza	Natančnost prikaza volta	CC/CV natančnost	Povečanje in znižanje	Pretiravanje
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5 %	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplikacije izdelkov

Polisilicij je oblika elementarnega silicija. Ko se staljeni elementarni silicij strdi pod pogoji podhlajevanja, se atomi silicija razporedijo v številna kristalna jedra v obliki diamantne mreže. Če ta kristalna jedra zrastejo v zrna z različnimi orientacijami kristalne ravnine, se ta zrna združijo in kristalizirajo v polikristalni silicij.